/ DETAILED PARAMETERS
高精度控制: 抛光头气压控制精度≤0.1psi,转速/压力控制精度≤1RPM/±0.15磅,确保工艺稳定性。
优异均匀性: 氧化硅抛光片内均匀性≤5%,片间均匀性≤3%(49点扫描,去边5mm)。
超光滑表面: 抛光后表面粗糙度(Ra)≤0.5nm,满足高端制程需求。
先进终点检测: 支持光学终点侦测(EPD),通过材料反射光变化精准判断抛光终点,避免过度研磨。
多尺寸兼容: 独立开发的4/6/8寸抛光头,灵活支持4/5/8英寸晶圆,适配多种产线需求。
分区加压技术: 抛光头采用3-Zone分区设计(主抛、边抛、保持环单独控压),应对复杂工艺轮廓。
选配丰富: 抛光盘带PTFE防腐涂层、侧边回收装置及冷却功能,可根据工艺需求灵活选配。
双刷洗单元: 清洗单元支持两种不同药液,刷洗位置、压力、转速可按Recipe自动调节。
低污染传输: 晶圆传输微粒增值≤15颗(≥0.3um);CMP后清洗新增微粒≤20颗,且无表面刮伤。
高效甩干: SRD甩干单元转速高达4000RPM,采用边缘夹持技术,避免接触晶圆正反面,杜绝划伤。
智能配方(Recipe): 支持最多20步工艺分步设定,参数涵盖压力、转速、流量等,具备自检报警功能,防止设定错误。
工业4.0兼容: 支持EAP自动作业及多种SEMI通讯协议,可实现远程管理和数据上传。
可视化监控: 核心运行数据图表化显示,支持导出分析,便于生产追溯。
核心部件: 采用基恩士(KEYENCE)高精度流量计,供液精度≤3ml/min。
防结晶设计: 抛光液供应臂及修整臂均配备自清洁机构,有效防止研磨液结晶堵塞。
便捷维护: 抛光头具备快速拆卸功能,晶圆加载/卸载系统耗材更换方便。






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